Механическая люстрация в ОПК повлечет срыв оборонных программ и вымывание профессиональных кадров - эксперт | ||
13.07.2019 15:42:05 | ||
Киев. 13 июля. ИНТЕРФАКС-УКРАИНА - Директор Центра исследования армии, разоружения и конверсии (ЦИАКР) Валентин Бадрак убежден, что люстрация в оборонно промышленном комплексе (ОПК) может быть проведена исключительно в рамках жесткого индивидуального формата, в противном случае она неизбежно повлечет срыв важных оборонных программ.
В комментарии агентству "Интерфакс-Украина", оценивая возможные риски обороноспособности государства в связи с заявленными президентом Украины Владимиром Зеленским планами по расширению действия закона о люстрации, в том числе в отношении действующего руководства украинских оборонных предприятий, эксперт подчеркнул: "Люстрация не может быть чисто механическим процессом, в ином случае она несет серьезные риски и может привести к негативным последствиям в области перевооружения сил обороны". По его словам, аргументом этому в частности может служить цикл разработок и производства вооружений, а также тот факт, что многие руководители отечественных оборонных предприятий занимались развитием вооружений, независимо от смены власти и политической конъюнктуры. В качестве примера Бадрак привел гособоронную программу по созданию ракетного щита Украины. "В частности опытно-конструкторские работы (ОКР) по крылатой ракете "Нептун" начались еще при Януковиче (экс-президенте Украины Викторе Януковиче - ИФ), а вышли на финишную прямую уже при Порошенко (экс-президенте Петре Порошенко - ИФ). При этом создание новой высокоточной РСЗО "Ольха" было обеспечено при Порошенко", - отметил эксперт. Он подчеркнул, что фактически создание "Ольхи" - это единственный прецедент национальной оборонной разработки, обеспеченной в рекордно короткие стоки - за 2 года. Именно поэтому в вопросе люстрации в ОПК должен присутствовать жесткий индивидуальный подход для исключения рисков срыва значимых оборонных госпрограмм и вымывания профессиональных кадров из отрасли, подчеркнул эксперт. гг
|
||